Онлайн-тест — схемотехника и электроника

    2   3   4   5   6   7

Тесты по электронике

1. Область полупроводника, расположенная вблизи металлургической границы между p и n слоями называется:

1. валентный слой

2. зона контакта

3. фазовый переход

4. p—nпереход

5. запирающий слой

Диагностика принятия других (по шкале Фейя)

Методика Диагностика принятия других, В. Фейя предназначена для диагностики уровня принятия других людей, чаще всего используется для тестирования школьников 5-11 классов или в целях лучшей адаптации первокурсников. 

Пройти тест

Ответ: 4

2. Диффузионный ток через p—nпереход обусловлен:

1. приложенным внешним электрическим полем

2. влиянием температуры

3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение

4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях

5. отсутствием внешнего электрического поля

План и карта

5класс. Тема «План и карта». (ФОЗ по учебнику География 5-6 класс А.И. Алексеев, Е.К. Липкина, В.В. Николина 2014 год)

Пройти тест

Ответ: 4

3. Дрейфовый ток через p—nпереход обусловлен:

1. приложенным внешним электрическим полем

2. влиянием температуры

3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение

4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях

5. отсутствием внешнего электрического поля

ЕГЭ по химии; Задание 24; 10 заданий

10 тестов по заданию 24 в ЕГЭ по химии.

Выполнение заданий типовых экзаменационных вариантов предоставляет обучающимся возможность самостоятельно подготовиться к государственной итоговой аттестации в форме ЕГЭ, а также объективно оценить уровень своей подготовки к экзамену.

►Теорию к заданию бесплатно можно найти у нас на сайте:

CHEM-MIND.com

►Таблица Менделеева и таблица растворимости как в ЕГЭ:

http://www.chem-mind.com/2017/03/20/справочный-материал-для-егэ-и-огэ/

Пройти тест

Ответ: 1

4. Зона вблизи границы p и n областей, обедненная подвижными основными носителями заряда называется:

1. валентный слой

2. эмиттерный переход

3. запирающий слой

4. зона проводимости

5. фазовый переход

Индекс

Список вопросов базы знаний

Ответ: 3

5. Напряжение, приложенное к двухслойному диоду, называется прямым, если реализуется подключением:

+

6. Для получения двухслойной структуры p—n типа, концентрации примесей в них выбираются следующим образом:

1. Nд >> Nа

2. Nд > Nа

3. Nд = Nа

4. Nд = 0

5. Nда

Ответ: 1

7. Для получения двухслойной структуры p—n типа, концентрации примесей в них выбираются следующим образом:

1. Nд > Nа

2. Nд = Nа

3. Nд а

4. Nа = 0

5. Nда

Ответ: 3

8. Каждой из трех приведенных потенциальных диаграммp—nперехода соответствует режим, когда:

1



2

3

а) внешнее энергетическое поле отсутствует

б) приложено обратное напряжение

в) приложено прямое напряжение

Ответ: 1а; 2в; 3б.

8. При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p—nперехода —

1. расширяется;

2. сужается;

3. не изменяется;

4. расширяется со стороны p—слоя;

5. сужается со стороны n—слоя;

Ответ: 2

9. При подключении к полупроводнику обратного напряжения зона p—nперехода —

1. сужается;

2. не изменяется;

3. расширяется;

4. p—nпереход имеет постоянную ширину;

5. расширяется со стороны n—слоя;

Ответ: 3

10. Диффузионный ток через p—nпереход, достигший равновесного состояния, определяется выражением:

1. Iдиф. = Iдиф. p – Iдрейф. n

2. Iдиф. = Iдиф. n + Iдрейф. p

3. Iдиф. = Iдиф. p + Iдиф. n

4. Iдиф. = Iдрейф. n – Iдрейф. p

5. Iдиф. = Iдиф. n – Iдрейф. p

Ответ: 3

11. Дрейфовый ток через p-n переход до достижения равновесия определяется выражением:

1. Iдрейф. = Iдрейф. p + Iдрейф. n

2. Iдрейф. = Iдиф. p – Iдиф. n

3.Iдрейф. = Iдрейф. p – Iдрейф. n

4.Iдрейф. = Iдиф. n + Iдрейф. p

5.Iдрейф. = Iдрейф. n + Iдиф. p

Ответ: 1

12. Для описания равновесного состояния p—nперехода справедливо следующее соотношение:

1. Iдиф. p – Iдиф. n = Iдрейф. p + Iдрейф. n

2. Iдрейф. p= Iдиф. + Iдрейф. n

3. Iдрейф. = Iдиф. n + Iдрейф. p

4. Iдиф. p= Iдрейф. – Iдиф. n

5. Iдрейф. = Iдрейф. p – Iдрейф. n

Ответ: 4

13. Для описания равновесного состояния p—nперехода справедливо следующее соотношение:

1. Iдиф. p – Iдиф. n = Iдрейф. p + Iдрейф. n

2. Iдрейф. p= Iдиф. + Iдрейф. n

3. Iдрейф. p= Iдиф. – Iдрейф. n

4. Iдрейф. = Iдиф. n + Iдрейф. p

5. Iдрейф. = Iдрейф. p – Iдрейф. n

Ответ: 3

14. Свойство диода пропускать ток, описывается следующим участком его ВАХ:

I

II

III

IV

Ответ: I

15. Для стабилизации напряжения в электронике используется участок ВАХ №:



I

II

+ III

IV

Ответ: III

16. Участок IV на ВАХ полупроводникового диода называется __________(прил.) пробой

    2   3   4   5   6   7

Поделитесь в соц.сетях:

Оцените статью: (Пока оценок нет) Загрузка...